5月14日上午，由中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)和中國(guó)半導(dǎo)體照明/LED產(chǎn)業(yè)與應(yīng)用聯(lián)盟聯(lián)合主辦的“2015?LED配套材料產(chǎn)業(yè)交流對(duì)接會(huì)”在寧波順利舉行。晶能光電陳振博士受邀出席，并在大會(huì)上與參會(huì)人員分享了硅襯底LED技術(shù)和紫外LED研究的最新進(jìn)展。

自2012年硅襯底大功率LED芯片量產(chǎn)以來(lái)，晶能光電硅襯底大功率LED產(chǎn)品得到快速提升。以45mil硅襯底大功率LED芯片為例，封裝后藍(lán)光輸出功率達(dá)700mW@350mA，白光LED光效可達(dá)150lm/W。

在深厚的LED外延和芯片技術(shù)的基礎(chǔ)上，晶能光電將GaN-LED產(chǎn)品線(xiàn)延展至紫外LED，推出了370-410nm高光效UVA LED產(chǎn)品，采用獨(dú)特的UV-LED外延技術(shù)，克服發(fā)光效率低于藍(lán)光LED和電子空穴不易被束縛在發(fā)光層中的難點(diǎn)，性能達(dá)到國(guó)際一流水平。

從第三方測(cè)試結(jié)果來(lái)看，晶能光電UVA-LED表現(xiàn)出優(yōu)異的性能指標(biāo)，半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室測(cè)試結(jié)果顯示峰值外量子效率達(dá)到了67%， 350mA和500mA條件下，亮度可分別達(dá)到700mW和1000mW，發(fā)光效率和藍(lán)光LED芯片相當(dāng)，Droop遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于藍(lán)光LED芯片。同時(shí)，晶能光電UVA-LED產(chǎn)品具有優(yōu)異的可靠性，以395nm倒裝結(jié)構(gòu)45×45mil芯片，采用陶瓷封裝后，在PCB板溫度為85度和老化電流700mA的條件下，1000小時(shí)持續(xù)點(diǎn)亮后測(cè)試，其反向漏電0.6uA，光衰為-2.48%；在1000mA老化1000小時(shí)后，光衰小于10%。

目前，晶能光電紫外LED芯片結(jié)構(gòu)包括橫向、倒裝和垂直三種主流結(jié)構(gòu)，涵蓋大中小功率范圍，可以滿(mǎn)足近紫外波段用戶(hù)的各種需求，已出口韓國(guó)等國(guó)家，受到用戶(hù)的一致好評(píng)。

會(huì)上，陳振博士還介紹了紫外LED外延設(shè)計(jì)的重要性，詳細(xì)闡述了極化場(chǎng)對(duì)量子阱的影響。晶能光電在紫外LED技術(shù)領(lǐng)域的成績(jī)得到與會(huì)專(zhuān)家和同行的高度認(rèn)可。